2 - 13 μm ,MCT中紅外四級TE冷卻光浸式多結(jié)光伏探測器 PVMI-4TE系列一款特別適用于在2 ~ 13 μm光譜范圍內(nèi)工作的大感光面探測器。3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口，防止不必要的干擾效應。

產(chǎn)品型號：

更新時間：2024-12-04

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商

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產(chǎn)品分類

光電探測器

探測器芯片超快光電探測器/EOT 單光子探測器/計數(shù)器其他光電探測器 Ge鍺光電探測器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測器 Si硅光電探測器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測器 MCT碲鎘汞探測器

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品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進口
應用領域	化工,能源,建材/家具,電子/電池

PVMI-4TE系列是基于復雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級TE冷卻紅外多結(jié)光伏探測器，采用光學浸沒的方式改善器件的參數(shù)，以達到好的性能和穩(wěn)定性。探測器在λopt入射時性能好。這是一款特別適用于在2 ~ 13 μm光譜范圍內(nèi)工作的大感光面探測器。3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口，防止不必要的干擾效應。

產(chǎn)品特點

● 可探測中紅外光波范圍 2-13μm

● 可配專用前置放大器

● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡實現(xiàn)光學浸沒，有效提升探測效率

● 帶有防反射涂層窗口鏡，避免不必要的干擾

● 帶有四級TE冷卻，有效提高探測效率

封裝及尺寸

TO8型封裝外形尺寸圖

參量	數(shù)值
浸沒微型透鏡形狀	超半球形
光學區(qū)域面積AO；mm×mm	1×1
R,mm	0.8
A,mm	6.4±0.4

備注：

?—接收角度；

R—超半球微型透鏡半徑

A—4TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離

4TE-TO8引腳定義

功能	PIN號
探測器	1,3
反向偏壓（可選）	1（-）,3（+）
熱敏電阻	7,9
TE冷卻器供應	2（+），8（-）
底板接地	11
未使用	4，5，6，10，12

4TE-TO66封裝尺寸圖

備注：

?—接收角度；

R—超半球微型透鏡半徑

A—4TE-TO66型封裝頂部下表面與焦平面的距離

參量	數(shù)值
浸沒微型透鏡形狀	超半球形
光學區(qū)域面積AO；mm×mm	1×1
R,mm	0.8
A,mm	7.45±0.4

4TE-TO66引腳定義

功能	PIN號
探測器	7，8
反向偏壓（可選）	7（-）,8（+）
熱敏電阻	5,6
TE冷卻器供應	1（+），9（-）
未使用	2，3，4

產(chǎn)品應用

● 醫(yī)學熱成像

● 紅外光譜分析

● 中紅外氣體吸收檢測

● 中紅外激光探測

技術參數(shù)

參數(shù)	探測器型號
參數(shù)	PVMI-4TE-8	PVMI-4TE-10.6
有源元件材料	外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)
波長λopt（μm）	8	10.6
相對響應強度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W	≥8×109	≥3×109
相對響應強度D* (λopt),cm·Hz1/2/W	≥6×109	≥2.5×109
電流響應度-光敏面長度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W	≥0.2	≥0.18
時間常數(shù)T，ns	≤4	≤3
電阻R,Ω	500-2500	120-500
元件工作溫度Tdet,K	~195
感光面尺寸A,mm×mm	1×1
封裝	TO8，TO66
接收角Φ	～36°
窗口	wZnSeAR