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單光子探測器陣列SPAD23 產(chǎn)品總覽 技術(shù)源于代爾夫特理工大學(xué)和洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院 7 年的研究工作和 6 項獨te技術(shù)。它是由23個六角形封裝的單光子雪崩二極管組成的探測器陣列(SPADs)，具有更高的靈敏度和更低的噪聲。

900-2700nm InGaAs光電二極管 兩級TEC冷卻 Φ3mm 產(chǎn)品總覽 GESTIN-2TE-TO8系列單元InGaAs探測器主要由P-I-N結(jié)構(gòu)InGaAs光敏芯片、過渡電極板、溫度傳感器和兩級熱電冷卻器（2TE）組成，采用TO封裝形式。本用戶手冊僅介紹產(chǎn)品系列。

30 GHz 微波光子GaAs接收器（660-1100nm 超快光電探測器） 筱曉提供的GaAS超快光電探測器測量直流至 30GHz范圍內(nèi)的光波形。多款型號的上升時間短至 10ps，光譜覆蓋范圍為 660 至 1100 nm。 所有光電二極管均封裝在緊湊堅固的鋁制外殼中，可通過電池或外部電源供電。

UDT-455UV 光電二極管放大器混合器 200-1100nm Photop™系列，將光電二極管和運算放大器集合在同一封裝中。Photops™通用檢測器的光譜范圍為350nm至1100nm或200nm至1100nm。它們采用集成封裝，確保在各種工作條件下的低噪聲輸出。這些運算放大器是OSI光電工程師為兼容我們的光電二極管而專門選擇的。

10mm Ge大光敏面探測器（BNC接口輸出）（ Ge鍺光電二極管） 產(chǎn)品總覽 鍺光電二極管通常用于測量近紅外范圍內(nèi)的光功率，尤其是在成本敏感型應(yīng)用或需要大面積探測器的應(yīng)用中。然而，與類似尺寸的 InGaAs 探測器相比，鍺探測器的分流電阻較低，暗電流較高，導(dǎo)致整體噪聲水平較高。