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2-12μm 中紅外MCT三級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器, 帶TEC ,PV-3TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的三級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器，具有好的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λopt時(shí)達(dá)到好性能。起始波長可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。

1-15um 中紅外光浸沒式MCT兩級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI-2TE系列 TO8 PCI-2TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級(jí)熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器，采用光學(xué)浸沒來提高器件的性能，具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。

3μm MCT 中紅外非制冷光電探測(cè)器 2.5-6.5μm HgCdTe器件在λ_opt時(shí)達(dá)到好性能。波長分割可根據(jù)需求進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍的同時(shí)提高高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲在低頻下可能會(huì)降低探測(cè)器的性能。

光電磁MCT紅外光伏探測(cè)器 2.0-12.0um PEMI系列在10.6 μm處探測(cè)性能最佳，是一款特別適用于探測(cè)連續(xù)波和低頻調(diào)制輻射的大感光面探測(cè)器。這款探測(cè)器被安裝在內(nèi)部含有磁性電路的特殊包裝中。3°楔形硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗戶，可以防止不必要的干擾影響和污染。

1-16μm 中紅外光浸沒式MCT四級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI-4TE系列截止波長受GaAs透過率(~0.9 μm)的限制。設(shè)備應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻時(shí)探測(cè)器性能降低。