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785nm DBR激光二極管 785nm分布布拉格反射（DBR）系列高性能邊發(fā)射激光二極管，基于筱曉光子*的單片集成單頻砷化鎵（GaAs）激光技術(shù)。該系列激光二極管可輸出單空間模式光束，且采用鈍化端面設(shè)計以確保可靠性。785nm系列DBR器件適用于拉曼光譜應(yīng)用領(lǐng)域

850nm單模光纖耦合VCSEL激光二極管（不帶TEC） PL-VCSEL-1-A81 850nm VCSEL 是一款垂直發(fā)射 MOVPE 生長的 GaAsP/AlGaAs 單模二極管激光器。 波長調(diào)諧可以通過激光電流和溫度調(diào)諧來實現(xiàn)。內(nèi)置TEC和熱敏電阻。我們的 850 nm 單模 VCSEL 專為高速、高性能通信應(yīng)用而設(shè)計。

635nm激光二極管(TO56 最大電流150mA)|生物醫(yī)學(xué) 用于635nm波長的脊形波導(dǎo)激光二極管

innolume DFB激光二極管(帶集成光隔離器) 1200nm 60mW 分布式反饋 （DFB） 和分布式布拉格反射器 （DBR） 激光二極管是發(fā)射極窄光譜線的光源，帶寬低于 5MHz，典型側(cè)模抑制比 （SMSR） 40dB。Innolume基于GaAs的DFB和DBR激光器利用InGaAs量子阱（QW）或InAs/GaAs量子點（QD）有源區(qū)域和專有芯片設(shè)計，覆蓋970-1330nm光譜

innolume DFB激光二極管 1200nm 50mW 分布式反饋 （DFB） 和分布式布拉格反射器 （DBR） 激光二極管是發(fā)射極窄光譜線的光源，帶寬低于 5MHz，典型側(cè)模抑制比 （SMSR） 40dB。Innolume基于GaAs的DFB和DBR激光器利用InGaAs量子阱（QW）或InAs/GaAs量子點（QD）有源區(qū)域和專有芯片設(shè)計，覆蓋970-1330nm光譜范圍。